Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
1SS387CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

hissə-hissə: 117530

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 1.6ns,

Arzu
1SS190TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

hissə-hissə: 116

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
1SS187,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

hissə-hissə: 131

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
1SS416CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

hissə-hissə: 111

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

hissə-hissə: 161

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS193,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

hissə-hissə: 176168

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
1SS413CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

hissə-hissə: 156192

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS424(TPL3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

hissə-hissə: 201

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

hissə-hissə: 122602

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 300mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1SS193S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

hissə-hissə: 2303

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
1SS389,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

hissə-hissə: 1533

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS394TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

hissə-hissə: 154898

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 10V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS397TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

hissə-hissə: 152629

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 500ns,

Arzu
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

hissə-hissə: 136052

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
1SS403,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

hissə-hissə: 175794

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 60ns,

Arzu
1SS370TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

hissə-hissə: 1558

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 60ns,

Arzu
1SS307E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

hissə-hissə: 146552

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS413,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

hissə-hissə: 180671

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS416,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

hissə-hissə: 113319

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS417,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

hissə-hissə: 108515

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 620mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS417CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

hissə-hissə: 21577

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 620mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS405,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

hissə-hissə: 106441

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 50mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 50mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS389,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

hissə-hissə: 119305

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 10V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1SS367,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

hissə-hissə: 129010

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 10V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
1SS427,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

hissə-hissə: 138564

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 1.6ns,

Arzu
1SS404,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

hissə-hissə: 174948

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 300mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 300mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
1SS387,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

hissə-hissə: 106991

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
1SS352,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

hissə-hissə: 126326

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 4ns,

Arzu
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

hissə-hissə: 172900

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.2V @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 60ns,

Arzu
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

hissə-hissə: 154455

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
BAS516,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

hissə-hissə: 8357

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3ns,

Arzu
BAS316,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

hissə-hissə: 8339

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3ns,

Arzu
BAS516,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

hissə-hissə: 8339

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 100V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 250mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.25V @ 150mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 3ns,

Arzu
TRS10E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

hissə-hissə: 6216

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 10A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu
CBS10S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

hissə-hissə: 176414

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CBS10S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

hissə-hissə: 162705

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu