Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
CUS05S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S30,H3F

hissə-hissə: 141424

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 340mV @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

hissə-hissə: 175222

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 230mV @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

hissə-hissə: 21594

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 10V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10mA (DC), Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
CTS520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

hissə-hissə: 122854

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 200mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CCS15S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

hissə-hissə: 159042

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

hissə-hissə: 172576

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 400mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMF05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 158502

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 1000V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2.7V @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
CTS05S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

hissə-hissə: 114342

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 340mV @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

hissə-hissə: 155708

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 159752

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CUS05S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

hissə-hissə: 139868

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 350mV @ 100mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

hissə-hissə: 11358

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 6A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 6A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu
CMS03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 144392

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 184133

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 370mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 139204

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 460mV @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 121678

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 980mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 183971

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 360mV @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 104302

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 360mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 164330

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 370mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 112076

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

hissə-hissə: 193256

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 800mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 220mV @ 10mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CBS10F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

hissə-hissə: 8420

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 700mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CUS10F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

hissə-hissə: 4875

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 670mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CUS520,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

hissə-hissə: 181235

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 280mV @ 10mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CUS05F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

hissə-hissə: 4923

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 810mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CUS05F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

hissə-hissə: 151245

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CTS05F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

hissə-hissə: 8357

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 810mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu