Menu
AzərbaycanAzərbaycan
RFQ / Sifariş
0RFQ / Sifariş

Diodlar - Düzəldicilər - Tək

  • Ev
  •  
  • Diodlar - Düzəldicilər - Tək
CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS17(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 117

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 480mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I40A(TE12L,QM

hissə-hissə: 100

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF02(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 88

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 800V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 3V @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
CRS20I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS20I30A(TE85L,QM

hissə-hissə: 166057

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS12(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 177271

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS15I30B(TE85L,QM

hissə-hissə: 79

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 400mV @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS15(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 163

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMF01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF01(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 194437

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG04(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 185173

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF03(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 157727

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 700mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 2V @ 700mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
CRH01(TE85R,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85R,Q,M)

hissə-hissə: 160805

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 980mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I30A(TE12L,QM

hissə-hissə: 142

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 360mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMS07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS07(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 160837

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CRG03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG03(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 187277

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I40A(TE12L,QM

hissə-hissə: 192

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CRS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS03(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 104522

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMS20I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS20I40A(TE12L,QM

hissə-hissə: 152

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CES520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES520,L3F

hissə-hissə: 178640

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 600mV @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
CES521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES521,L3F

hissə-hissə: 160204

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 200mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 200mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu
TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12E65C,S1Q

hissə-hissə: 5730

Diyot növü: Silicon Carbide Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 650V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 12A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.7V @ 12A, Sürət: No Recovery Time > 500mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 0ns,

Arzu
CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS06(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 236

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 700mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMS14(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS14(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 113027

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CUS10I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I30A(TE85L,QM

hissə-hissə: 200

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 390mV @ 700mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMS16(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS16(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 182845

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG02(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 177

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CUS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15I30A(TE85L,QM

hissə-hissə: 158

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 460mV @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH01(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 162

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 980mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
CUS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS03(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 175

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 700mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 520mV @ 700mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CUS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 154

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 370mV @ 700mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CRH02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH02(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 159

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 950mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH04(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 168712

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 980mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08A(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 153282

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu
CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMC02(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 171

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1V @ 1A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMS30I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I30A(TE12L,QM

hissə-hissə: 187

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu
CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH02A(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 184

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu
CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG03(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 172

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 600V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 2A, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu