Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 6

CBS05F30(TPL3)

hissə-hissə: 1645

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

hissə-hissə: 131336

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 620mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

hissə-hissə: 1424

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.47V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

hissə-hissə: 1267

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 100mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

hissə-hissə: 1440

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.47V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

hissə-hissə: 1359

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.98V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

hissə-hissə: 1368

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

hissə-hissə: 1091

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

hissə-hissə: 1170

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 700mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 700mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

hissə-hissə: 1121

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

hissə-hissə: 852

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 101221

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 510mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 779

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 470mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 186793

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 360mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

hissə-hissə: 9971

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

hissə-hissə: 186045

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 161979

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 360mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

hissə-hissə: 122216

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 80V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 215mA, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

hissə-hissə: 168808

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 500mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 470mV @ 500mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 784

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 390mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

hissə-hissə: 171031

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 400mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

hissə-hissə: 142010

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 140mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 100mA, Sürət: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Ters bərpa vaxtı (trr): 1.5ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

hissə-hissə: 262

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 450mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

hissə-hissə: 173

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 510mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

hissə-hissə: 183

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 400mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

hissə-hissə: 211

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 370mV @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

hissə-hissə: 213

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

hissə-hissə: 196

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 460mV @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

hissə-hissə: 264

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 360mV @ 1.5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

hissə-hissə: 5028

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 980mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

hissə-hissə: 200

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 360mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

hissə-hissə: 264

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 360mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

hissə-hissə: 178

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 370mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 129014

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 370mV @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

hissə-hissə: 124325

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 400mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

hissə-hissə: 143420

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 500mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu