Diodlar - Düzəldicilər - Tək | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 6

CRG09(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 193

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 700mA, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 250

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 700mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 580mV @ 700mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 223

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

hissə-hissə: 162

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 700mA, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 183

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 700mA, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.1V @ 700mA, Sürət: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 178

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 100ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

hissə-hissə: 166

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 2A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 490mV @ 2A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 130001

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 550mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

hissə-hissə: 2615

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

hissə-hissə: 2547

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.55V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

hissə-hissə: 2587

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.55V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

hissə-hissə: 2557

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.58V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

hissə-hissə: 2558

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.3V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05,LMBJQ(O

hissə-hissə: 2588

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.98V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

hissə-hissə: 2552

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

hissə-hissə: 2596

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.47V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,SHINA,Q)

hissə-hissə: 2554

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.58V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

hissə-hissə: 2598

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.98V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

hissə-hissə: 2581

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.98V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PCD,Q)

hissə-hissə: 2562

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.58V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16R,Q)

hissə-hissə: 2544

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.55V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CLAR,Q)

hissə-hissə: 2597

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.55V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,SQC,Q)

hissə-hissə: 2590

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 40V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.55V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16L,Q)

hissə-hissə: 2608

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16R,Q)

hissə-hissə: 2533

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 200V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.98V @ 3A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01,LFJFQ(O

hissə-hissə: 2549

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 30V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.47V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03,LNITTOQ(O

hissə-hissə: 2564

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.58V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

hissə-hissə: 2613

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.58V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16L,Q)

hissə-hissə: 2603

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 3A (DC), Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

hissə-hissə: 2602

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.58V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

hissə-hissə: 5263

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.58V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

hissə-hissə: 2547

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

hissə-hissə: 2552

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 60V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 10A (DC), Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 0.58V @ 10A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

hissə-hissə: 5332

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 300V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 5A (DC), Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

hissə-hissə: 2062

Diyot növü: Schottky, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 20V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1.5A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 400mV @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

hissə-hissə: 102694

Diyot növü: Standard, Gərginlik - DC Ters (Vr) (Maks): 400V, Cari - Orta düzəldilmişdir (Io): 1A, Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 1A, Sürət: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Ters bərpa vaxtı (trr): 35ns,

Arzu