Transistorlar - Bipolar (BJT) - Subay | Ayrı yarımkeçirici məhsullar | 11

2SA1943N(S1,E,S)

hissə-hissə: 30936

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 15A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-Y,LF

hissə-hissə: 133517

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-GR,L3F

hissə-hissə: 125949

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-OTE85LF

hissə-hissə: 103394

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324GRTE85LF

hissə-hissə: 72

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CTGRTPL3

hissə-hissə: 154

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-GR(TE85L,F

hissə-hissə: 155

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1182-Y,LF

hissə-hissə: 105735

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-GR,LF

hissə-hissə: 114972

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-BL,LF

hissə-hissə: 141073

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-Y,LF

hissə-hissə: 182069

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1298-Y,LF

hissə-hissə: 110660

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 800mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 25V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-BL,LF

hissə-hissə: 194721

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-O,LF

hissə-hissə: 146528

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312-BL(TE85L,F

hissə-hissə: 123

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-Y,LF

hissə-hissə: 160315

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB906-Y(TE16L1,NQ

hissə-hissə: 107

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-Y,LF

hissə-hissə: 100369

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213BTE85LF

hissə-hissə: 179590

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 300mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 20V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-BL,LF

hissə-hissə: 124685

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-GR,LF

hissə-hissə: 122917

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 500mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 30V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-Y,LF

hissə-hissə: 134403

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026MFVGR,L3F

hissə-hissə: 189199

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-GR,LF

hissə-hissə: 172547

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 150mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6076(TE16L1,NV)

hissə-hissə: 135662

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 3A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 80V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-BL,LF

hissə-hissə: 106998

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 120V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5242-O(Q)

hissə-hissə: 515

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 15A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1962-O(Q)

hissə-hissə: 22703

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 15A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1943-O(Q)

hissə-hissə: 22767

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 15A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200N(S1,E,S)

hissə-hissə: 30915

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 15A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 230V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 5µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721RTE85LF

hissə-hissə: 7061

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 100mA, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 300V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 100nA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6NSF(J

hissə-hissə: 7009

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6WNLF(J

hissə-hissə: 7019

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(M

hissə-hissə: 7049

Transistor növü: PNP, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 50V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 1µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(M

hissə-hissə: 7066

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Arzu

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(J

hissə-hissə: 6988

Transistor növü: NPN, Cari - Kollektor (Ic) (Maks): 2A, Gərginlik - Kolleksiya Verən Arızası (Maksimum): 60V, Vce Doygunluğu (Maks) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Cari - Kollektorun kəsilməsi (Maksimum): 10µA (ICBO), DC Cari Qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Arzu